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激光技術(shù)種類齊全,適用于不斷微細(xì)化的新一代產(chǎn)品，可以為各種素材提供“Kiru”技術(shù)。
何謂燒蝕加工
?Low-k開(kāi)槽加工
抑制分層(薄膜剝離)
?藍(lán)寶石開(kāi)槽加工
?利用形狀識(shí)別功能實(shí)現(xiàn)破損晶圓的加工,以及多片晶圓同步加工,提高Co0實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的加工,并維持藍(lán)寶石的亮度
[分?jǐn)嗪骃EM照片]
[分?jǐn)嗪?上面照片]
?鐳射全切割加工
可實(shí)現(xiàn)切割道的縮小,以增加晶圓的晶粒數(shù)量
提高進(jìn)刀速度(與刀片切割相比較)
Si+DAF切割加工
高質(zhì)量的DAF切割
(Die Attach Film)
[Si晶圓的全切割加工]
[Si晶圓的全切割加工]
[SiC晶圓的全切割加工]
隱形切割,全新的鐳射切割方法提供全新的“Kiru”技術(shù)，實(shí)現(xiàn)MEMS產(chǎn)品及薄晶圓的高質(zhì)量、高速加工。
何謂隱形切割
矽晶圓[截面照片]
藍(lán)寶石[截面照片]
[上面照片]
GaAs
MEMS[整個(gè)MEMS晶粒]
藍(lán)寶石[邊緣部位放大]
玻璃 [截面照片]
鈕酸鋰[截面照片]
使用鐳射對(duì)用作高亮度LED基板材料的藍(lán)寶石進(jìn)行加工的技術(shù)。
在過(guò)去，被用作高亮度LED基板材料的藍(lán)寶石的加工主要采用鉆石劃片機(jī)等進(jìn)行分?jǐn)?。但是，隨著市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，提高產(chǎn)能效率和成品良率的需求高漲，伴隨雷射加工的快速普及，在高亮度LED用藍(lán)寶石加工中該加工方法逐漸成為主流制程。
在過(guò)去，被用作高亮度LED基板材料的藍(lán)寶石的加工主要采用鉆石劃片機(jī)等進(jìn)行分?jǐn)?。但是，隨著市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，提高產(chǎn)能效率和成品良率的需求高漲，伴隨雷射加工的快速普及，在高亮度LED用藍(lán)寶石加工中該加工方法逐漸成為主流制程。
鐳射加工包括燒蝕加工和隱形切割這兩種方法。通過(guò)在藍(lán)寶石加工中采用鐳射，可以維持與原有加工方法同等的亮度，與此同時(shí)，還能提高成品合格率、產(chǎn)能效率，減輕操作人員的負(fù)擔(dān)。
利用燒蝕加工進(jìn)行藍(lán)寶石劃片教程
利用隱形切割進(jìn)行藍(lán)寶石加工制程
利用鐳射加工在切割道內(nèi)形成細(xì)槽(開(kāi)槽)的技術(shù)
Low-k膜在不斷精細(xì)化的半導(dǎo)體切割中被大量采用，鐳射開(kāi)槽便是適用于帶Low-k膜（低介電常數(shù)膜）的晶圓的制程。在加工難度高的上述素材中利用鐳射形成細(xì)槽后，利用刀片或鐳射實(shí)施切割。
Low-k膜在不斷精細(xì)化的半導(dǎo)體切割中被大量采用，鐳射開(kāi)槽便是適用于帶Low-k膜（低介電常數(shù)膜）的晶圓的制程。在加工難度高的上述素材中利用鐳射形成細(xì)槽后，利用刀片或鐳射實(shí)施切割。
利用鐳射進(jìn)行藍(lán)寶石加工
在刀片切割中，帶Low-k膜的晶圓的一大課題是脫層(膜剝落)。通過(guò)使用無(wú)機(jī)械負(fù)荷的鐳射開(kāi)槽,可抑制脫層,實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量加土并提高生產(chǎn)效率。此外,鐳射開(kāi)槽也被用于去除金屬層(TEG·配線·電路等)。
利用激光進(jìn)行藍(lán)寶石加工
透過(guò)預(yù)先進(jìn)行鐳射開(kāi)槽,可提高帶Low-k膜的晶圓的切割品質(zhì)和生產(chǎn)效率。
通過(guò)與隱形鐳切相組合,使切割道大幅縮小。
只需實(shí)施鐳射加工即可對(duì)加工對(duì)象進(jìn)行完全切割的方法該制程對(duì)薄Si及化合物半導(dǎo)體、背面附金屬膜的晶圓、金屬(Cu·鉬)等有效，全切割通常是用鐳射照射圖案面1次或多次,切入膠膜。此方法可實(shí)現(xiàn)高速、高質(zhì)量加工，而且能夠?qū)㈣D射束直徑控制在10 um以下，因此可望大幅縮小切割道。另外，還適用于Si+DAF (Die Attach Film)的全切割加工。
薄Si晶圓的全切割加工
該產(chǎn)品能夠利用鐳射對(duì)加工難度高的薄Si晶圓進(jìn)行高質(zhì)量、高速全切割加工。
化合物器件的全切割加工
用現(xiàn)有切割刀片對(duì)砷化家及SiC等化合物半導(dǎo)體進(jìn)行切割,進(jìn)刀速度難以提高亦難以提高生產(chǎn)效率。而采用非接觸式低負(fù)荷鐳射加工則可以實(shí)現(xiàn)高速、高質(zhì)量加工。
Si+DAF的全切割加工
利用切割刀片實(shí)施DAF切割易發(fā)生DAF切割不完全(殘絲),而鐳射加工能夠大幅抑制上述現(xiàn)象的發(fā)生。
金屬全切割加工
能夠?qū)Ω吡炼萀ED的基板及散熱材料等所使用的Cu、鉬等進(jìn)行高質(zhì)量、高速全切割加工。并有望減少切割槽損失。
以斷續(xù)線(虛線)狀進(jìn)行鐳射照射加工的手法
Hasen Cut(蜂巢式切割)是藉自由設(shè)定鐳射的開(kāi)與關(guān)，以適用混合搭載不同晶粒尺寸的工作物及多邊形工作物加工,讓應(yīng)用范圍更寬廣。
Hasen Cut(蜂巢式切割)是藉自由設(shè)定鐳射的開(kāi)與關(guān)，以適用混合搭載不同晶粒尺寸的工作物及多邊形工作物加工,讓應(yīng)用范圍更寬廣。
多邊形晶粒的加工
借由直線加工的組合，可做到六邊形與八邊形等多邊形的加工。
借由直線加工的組合,可做到連續(xù)多邊形晶粒的加工。
多種晶圓的加工
可對(duì)樣本用或是開(kāi)發(fā)測(cè)試用晶圓等混合排列有不同尺寸晶粒的晶圓進(jìn)行加工。此外，也可對(duì)晶粒錯(cuò)位排列的晶圓進(jìn)行加工，對(duì)長(zhǎng)形晶粒等異常尺寸而言，可以增加有效晶粒數(shù)量。
隱形切割和Hasen組合的相乘效果
借由以切割道狹小化為特點(diǎn)的隱形切割和鐳射特有的Hasen Cut的組合，可大幅提高有效晶粒數(shù)量。
采用鐳射實(shí)行DBG工藝后的DAF切割的方法
半切割加工后進(jìn)行背面研磨，將晶圓分割成晶粒的DBG(Dicing Before Grinding)技術(shù)有望降低背面崩缺〈chipping)，提高晶?？拐蹚?qiáng)度，減少薄型晶圓破損的風(fēng)險(xiǎn)。DBG+DAF切割技術(shù)是在通過(guò)DBG技術(shù)分割成晶粒的晶圓背面貼上DAF，并再次對(duì)DAF進(jìn)行單獨(dú)切割。DAF鏞射切割具有解決晶粒錯(cuò)位和提高加工質(zhì)量的優(yōu)點(diǎn)，所以可有效運(yùn)用于此技術(shù)。如能在DBG技術(shù)中采用DAF，將有可能在Si種所采用的超薄晶粒生產(chǎn)等方面推廣DBG。
半切割加工后進(jìn)行背面研磨，將晶圓分割成晶粒的DBG(Dicing Before Grinding)技術(shù)有望降低背面崩缺〈chipping)，提高晶?？拐蹚?qiáng)度，減少薄型晶圓破損的風(fēng)險(xiǎn)。DBG+DAF切割技術(shù)是在通過(guò)DBG技術(shù)分割成晶粒的晶圓背面貼上DAF，并再次對(duì)DAF進(jìn)行單獨(dú)切割。DAF鏞射切割具有解決晶粒錯(cuò)位和提高加工質(zhì)量的優(yōu)點(diǎn)，所以可有效運(yùn)用于此技術(shù)。如能在DBG技術(shù)中采用DAF，將有可能在Si種所采用的超薄晶粒生產(chǎn)等方面推廣DBG。
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